MOSFET Vishay, canale Canale N 12 V, 3.6 mΩ Miglioramento, 85 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISF12EDN-T1-GE3

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Codice RS:
735-237
Codice costruttore:
SISF12EDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

85A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

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