MOSFET Vishay, canale Canale P -20 V, 0.006 Ω Miglioramento, -104 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8SH, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-266
Codice costruttore:
SISH521EDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-104A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.006Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

102nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.98mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

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