MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00215 Ω Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8SH, Superficie SISHA04DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5123
Codice costruttore:
SISHA04DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8SH

Serie

SiSHA04DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00215Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.93mm

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a 30 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET ® Gen IV

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