MOSFET Vishay, canale N 30 V, 2.01 mΩ Miglioramento, 181.8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISS60DN-T1-GE3

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Codice RS:
188-4904
Codice costruttore:
SISS60DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

181.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiSS60DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.01mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-12V, +16V

Tensione diretta Vf

680mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

780μm

Standard automobilistico

No

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