MOSFET Vishay, canale N 60 V, 6.2 mΩ Miglioramento, 81.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISS26LDN-T1-GE3

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Codice RS:
188-4901
Codice costruttore:
SISS26LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

81.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS26LDN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

780μm

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a 60 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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