MOSFET Vishay, canale N, 6,2 mΩ, 81.2 A., PowerPAK 1212-8S, Montaggio superficiale

Codice RS:: 188-5033
Codice costruttore:: SISS26LDN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 6,2 mΩ, 81.2 A., PowerPAK 1212-8S, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 188-5033
Codice costruttore:: SISS26LDN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet SISS26LDN-T1-GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	81.2 A.
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8S
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	6,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	57 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	3.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	31,5 nC a 10 V
Larghezza	3.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	0.78mm

MOSFET Vishay, canale N, 6,2 mΩ, 81.2 A., PowerPAK 1212-8S, Montaggio superficiale

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