MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 30.4 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

990,00 €

(IVA esclusa)

1200,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,33 €990,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
228-2930
Codice costruttore:
SiSH892BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET PowerPAK Vishay a canale N da 100 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati