MOSFET Vishay, canale N 30 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISA04DN-T1-GE3

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Codice RS:
165-2807
Codice costruttore:
SISA04DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

730mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.15mm

Altezza

1.12mm

Larghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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