MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 30.4 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSH892BDN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2931
Codice costruttore:
SiSH892BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET PowerPAK Vishay a canale N da 100 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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