MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 162 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS52DN-T1-GE3

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Codice RS:
210-5016
Codice costruttore:
SiSS52DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiSS52DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Altezza

0.83mm

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 30 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V.

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Consente una maggiore densità di potenza con RDS(on) e termicamente molto bassi contenitore compatto migliorato

Testato al 100% Rg e UIS

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