MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 162 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS52DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5016
Codice costruttore:
SiSS52DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS52DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4 mm

Altezza

0.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 30 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V.

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Consente una maggiore densità di potenza con RDS(on) e termicamente molto bassi contenitore compatto migliorato

Testato al 100% Rg e UIS

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