MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 162 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS52DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

9,57 €

(IVA esclusa)

11,68 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 14.430 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,957 €9,57 €
100 - 2400,938 €9,38 €
250 - 4900,736 €7,36 €
500 - 9900,67 €6,70 €
1000 +0,536 €5,36 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5016
Codice costruttore:
SiSS52DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS52DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4 mm

Altezza

0.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 30 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V.

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Consente una maggiore densità di potenza con RDS(on) e termicamente molto bassi contenitore compatto migliorato

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati