MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 32 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SIS468DN-T1-GE3

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Codice RS:
165-7076
Codice costruttore:
SIS468DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

ThunderFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione diretta Vf

0.78V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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