MOSFET Vishay, canale N 80 V, 32 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SIS468DN-T1-GE3

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Codice RS:
165-7076
Codice costruttore:
SIS468DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

ThunderFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione diretta Vf

780mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4mm

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, tensione media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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