MOSFET Vishay, canale Tipo N 250 V, 190 mΩ Miglioramento, 12.3 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS92DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4960
Codice costruttore:
SiSS92DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

SiSS92DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Altezza

0.78mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-32-538

MOSFET a 250 V (D-S) a canale N.

TrenchFET® con tecnologia ThunderFET ottimizza il bilanciamento di RDS(on), Qg, Qsw e QOSS

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