MOSFET Vishay, canale Tipo N 250 V, 190 mΩ Miglioramento, 12.3 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS92DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

10,01 €

(IVA esclusa)

12,21 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 13 maggio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,001 €10,01 €
100 - 2400,983 €9,83 €
250 - 4900,851 €8,51 €
500 - 9900,65 €6,50 €
1000 +0,53 €5,30 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4960
Codice Distrelec:
304-32-538
Codice costruttore:
SiSS92DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

SiSS92DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.4nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.78mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 250 V (D-S) a canale N.

TrenchFET® con tecnologia ThunderFET ottimizza il bilanciamento di RDS(on), Qg, Qsw e QOSS

Leadership RDS(on) e RDS-Coss FOM

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.