MOSFET Vishay, canale Tipo N 250 V, 190 mΩ Miglioramento, 12.3 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

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Codice RS:
188-4908
Codice costruttore:
SiSS92DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS92DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3 mm

Altezza

0.78mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a 250 V (D-S) a canale N.

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