MOSFET Vishay, canale N, 0,00325 Ω, 67,4 A, PowerPak 1212-8SH, Montaggio superficiale

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Codice RS:
228-2928
Codice costruttore:
SiSH536DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

67,4 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PowerPak 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

0,00325 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.2V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

MOSFET a canale N Vishay da 30 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

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