MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0036 Ω, 104 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8PT, Superficie SISA10BDN-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1347,00 €

(IVA esclusa)

1644,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,449 €1.347,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
239-5397
Codice costruttore:
SISA10BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

104A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8PT

Serie

SIS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0036Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.75mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay ha una corrente di drain di 104 A. Viene utilizzato per c.c./c.c. ad alta densità di potenza, rettifica sincrona, VRM e c.c./c.c. integrati, protezione della batteria

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati