MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0043 Ω, 87 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8PT, Superficie SiSA12BDN-T1-GE3

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Codice RS:
239-5399
Codice costruttore:
SiSA12BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

87A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8PT

Serie

SIS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0043Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay ha una corrente di drain di 87 A. Viene utilizzato per c.c./c.c. ad alta densità di potenza, rettifica sincrona, VRM e c.c./c.c. integrati, protezione della batteria

Testato al 100% Rg e UIS

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