MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.01 mΩ Depletion, 44.4 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8PT, Superficie SISA18BDN-T1-GE3

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Codice RS:
252-0290
Codice costruttore:
SISA18BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

44.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8PT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

33.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

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