MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.01 mΩ Depletion, 45.9 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

825,00 €

(IVA esclusa)

1008,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,275 €825,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
252-0284
Codice costruttore:
SIS4604LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

33.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.3 mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V

Figura di merito (FOM) RDS - Qg molto bassa

Regolato per ottenere la più bassa RDS - Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati