MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.01 mΩ Depletion, 35.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
252-0286
Codice costruttore:
SIS4608DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

35.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Serie

SiS4608DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.01mΩ

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

33.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V

Figura di merito (FOM) RDS - Qg molto bassa

Regolato per ottenere la più bassa RDS - Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati