MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0036 Ω, 104 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8PT, Superficie SISA10BDN-T1-GE3
- Codice RS:
- 239-5398
- Codice costruttore:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 239-5398
- Codice costruttore:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 104A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8PT | |
| Serie | SISA10BDN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0036Ω | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 63W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 104A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8PT | ||
Serie SISA10BDN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0036Ω | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 63W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 0.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET serie Vishay SISA10BDN, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 104 A - SISA10BDN-T1-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 30 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione
• L'Rds(on) di 0,0036 Ω riduce le perdite di conduzione e la generazione di calore
• La carica del gate da 11,7 nC consente un controllo efficiente dell'azionamento del gate e della commutazione
• La dissipazione di potenza di 63 W consente un carico termico significativo
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V protegge il gate dal sovraccarico
Applicazioni
• Ideale per uscite convertitore c. c. - c. c. ad alta corrente
• Utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei controller industriali
• Utilizzato con moduli di potenza compatti che richiedono il montaggio SMD
Quali temperature estreme può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?
Per quale tipo di contenitore i progettisti devono consentire lo spazio sull'ingombro?
Come si comporta il componente termicamente in condizioni di potenza elevata?
È adatto nei casi in cui la qualifica automobilistica è obbligatoria?
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per evitare danni?
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