MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0036 Ω, 104 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8PT, Superficie SISA10BDN-T1-GE3

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Codice RS:
239-5398
Codice costruttore:
SISA10BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

104A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8PT

Serie

SISA10BDN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0036Ω

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.75mm

Standard automobilistico

No

MOSFET serie Vishay SISA10BDN, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 104 A - SISA10BDN-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un'ampia gamma di temperature e si adatta alle applicazioni che richiedono una notevole corrente di drenaggio continua e una conduzione efficiente a bassa tensione. Il dispositivo integra una bassa resistenza in stato attivo e una carica di gate modesta per bilanciare le prestazioni di commutazione e la gestione termica in sistemi densamente confezionati.

Caratteristiche e vantaggi:


• La corrente di drenaggio continua 104 A consente una capacità di commutazione ad alta corrente
• Il valore nominale drain-source di 30 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione
• L'Rds(on) di 0,0036 Ω riduce le perdite di conduzione e la generazione di calore
• La carica del gate da 11,7 nC consente un controllo efficiente dell'azionamento del gate e della commutazione
• La dissipazione di potenza di 63 W consente un carico termico significativo
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V protegge il gate dal sovraccarico

Applicazioni


• Adatto per le fasi di azionamento del motore nelle apparecchiature di automazione
• Ideale per uscite convertitore c. c. - c. c. ad alta corrente
• Utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei controller industriali
• Utilizzato con moduli di potenza compatti che richiedono il montaggio SMD

Quali temperature estreme può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici difficili.

Per quale tipo di contenitore i progettisti devono consentire lo spazio sull'ingombro?


Il componente è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 1212-8PT che richiede un ingombro SMD a 8 pin.

Come si comporta il componente termicamente in condizioni di potenza elevata?


La dissipazione di potenza massima è di 63 W, il che indica che il dispositivo può gestire una potenza notevole se montato con un'adeguata gestione termica del circuito stampato.

È adatto nei casi in cui la qualifica automobilistica è obbligatoria?


Il dispositivo non è specificato come conforme alle omologazioni standard automobilistiche, pertanto non deve essere considerato come una sostituzione delle parti qualificate per il settore automobilistico.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per evitare danni?


L'ampiezza dell'azionamento del gate non deve superare 20 V per rimanere entro la tensione nominale massima gate-sorgente.

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