MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0036 Ω Miglioramento, 81 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-145
Codice costruttore:
SIRA12DDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SIRA12DDP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0036Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.15mm

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il MOSFET a canale N Vishay è ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 30 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un RDS(on) ultrabasso, una commutazione rapida e prestazioni termiche eccellenti.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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