MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0031 Ω Miglioramento, 96 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-142
Codice costruttore:
SIRA10DDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

96A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIRA10DDP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0031Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.15mm

Altezza

1.04mm

Larghezza

6.15 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 30 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un RDS(on) ultrabasso, una commutazione rapida e prestazioni termiche eccellenti.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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