MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.0013 Ω Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 653-149
- Codice costruttore:
- SISS5208DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Costruttore:
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Specifiche
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 172A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | SISS5208DN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0013Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 56.8W | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.40mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 0.83mm | |
| Lunghezza | 3.40mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 172A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie SISS5208DN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0013Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 56.8W | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.40mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 0.83mm | ||
Lunghezza 3.40mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET singoli serie SISS5208DN di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 172 A - SISS5208DN-T1-GE3
Questo singolo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in gruppi di potenza compatti. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per le applicazioni che richiedono una commutazione rapida e una notevole capacità di drenaggio continuo mantenendo un comportamento termico efficiente.
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua 172A consente una gestione ad alto carico • Il valore nominale drain-source 20 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione • L'Rds(on) di 0,0013 Ω riduce le perdite di conduzione • La carica del gate da 24,6 nC consente una dinamica di commutazione controllata • La dissipazione di potenza di 56,8 W gestisce lo stress termico sotto carico • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente l'uso in ambienti elevati
Applicazioni
• Adatto per le fasi di azionamento dei motori nelle apparecchiature di automazione • Ideale per convertitori CC-CC ad alta corrente negli alimentatori • Utilizzato per la commutazione del carico nei pannelli di controllo industriali • Può essere utilizzato per gli stadi di uscita a ponte H nella robotica • Utilizzato con array MOSFET ad alta potenza in moduli inverter
Quale intervallo di tensione del gate è necessario pianificare nella progettazione del driver gate?
Il dispositivo accetta tensioni gate-sorgente fino a 8 V, pertanto un driver gate che fornisce Vgs entro questo limite garantisce un funzionamento sicuro.
In che modo il contenitore influisce sul layout del circuito stampato e sui percorsi termici?
Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK concentra i collegamenti termici ed elettrici su un ingombro ridotto, pertanto si consiglia di utilizzare versamenti di rame e vie termiche per dissipare la perdita di potenza di 56,8 W del dispositivo.
Quali sono le condizioni ambientali consentite per un funzionamento affidabile?
Il componente è classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in intervalli di temperatura industriali difficili.
Come si devono considerare le correnti di spunto o transitorie nella progettazione?
Con un basso Rds(on) di 0,0013Ω e un'elevata capacità di corrente continua, la sollecitazione transitoria deve essere valutata rispetto alle capacità di sovratensione e alla corrente nominale di tracciamento del circuito stampato per evitare sovratensioni.
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