MOSFET singoli Vishay, canale N 20 V, 0.0013 Ω Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS5208DN-T1-GE3

Codice RS:: 653-148
Codice costruttore:: SISS5208DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale N 20 V, 0.0013 Ω Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS5208DN-T1-GE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1740,00 €

(IVA esclusa)

2130,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Ultimi pezzi su RS

3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,58 €	1.740,00 €

*prezzo indicativo

Alternativa

Prodotto al momento non disponibile. Ti suggeriamo la seguente alternativa.

MOSFET singoli Vishay, canale N 20 V, 0.0013 Ω Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

Codice RS: 653-149

1 nastro da 1

1,31 €

(IVA esclusa)

1,60 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 653-148
Codice costruttore:: SISS5208DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	172A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	SISS5208DN
	Tipo di package	PowerPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0013Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	24.6nC
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Dissipazione di potenza massima Pd	56.8W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	830μm
	Larghezza	3.4mm
	Lunghezza	3.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 172A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie SISS5208DN
	Tipo di package PowerPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0013Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24.6nC
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Dissipazione di potenza massima Pd 56.8W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 830μm
	Larghezza 3.4mm
	Lunghezza 3.4mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SISS5208DN-T1-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET singoli serie SISS5208DN di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 172 A - SISS5208DN-T1-GE3

Questo singolo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in gruppi di potenza compatti. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per le applicazioni che richiedono una commutazione rapida e una notevole capacità di drenaggio continuo mantenendo un comportamento termico efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di drenaggio continua 172A consente una gestione ad alto carico • Il valore nominale drain-source 20 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione • L'Rds(on) di 0,0013 Ω riduce le perdite di conduzione • La carica del gate da 24,6 nC consente una dinamica di commutazione controllata • La dissipazione di potenza di 56,8 W gestisce lo stress termico sotto carico • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente l'uso in ambienti elevati

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento dei motori nelle apparecchiature di automazione • Ideale per convertitori CC-CC ad alta corrente negli alimentatori • Utilizzato per la commutazione del carico nei pannelli di controllo industriali • Può essere utilizzato per gli stadi di uscita a ponte H nella robotica • Utilizzato con array MOSFET ad alta potenza in moduli inverter

Quale intervallo di tensione del gate è necessario pianificare nella progettazione del driver gate?

Il dispositivo accetta tensioni gate-sorgente fino a 8 V, pertanto un driver gate che fornisce Vgs entro questo limite garantisce un funzionamento sicuro.

In che modo il contenitore influisce sul layout del circuito stampato e sui percorsi termici?

Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK concentra i collegamenti termici ed elettrici su un ingombro ridotto, pertanto si consiglia di utilizzare versamenti di rame e vie termiche per dissipare la perdita di potenza di 56,8 W del dispositivo.

Quali sono le condizioni ambientali consentite per un funzionamento affidabile?

Il componente è classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in intervalli di temperatura industriali difficili.

Come si devono considerare le correnti di spunto o transitorie nella progettazione?

Con un basso Rds(on) di 0,0013Ω e un'elevata capacità di corrente continua, la sollecitazione transitoria deve essere valutata rispetto alle capacità di sovratensione e alla corrente nominale di tracciamento del circuito stampato per evitare sovratensioni.