MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.0013 Ω Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS5208DN-T1-GE3

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Codice RS:
653-148
Codice costruttore:
SISS5208DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

172A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SISS5208DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0013Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

7 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.40 mm

Lunghezza

3.40mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 20 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK 1212-8S, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen V per fornire un RDS(on) ultrabasso, una commutazione rapida e prestazioni termiche eccellenti.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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