MOSFET singoli Vishay, canale N 20 V, 0.0013 Ω Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS5208DN-T1-GE3

Codice RS:: 653-148
Codice costruttore:: SISS5208DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale N 20 V, 0.0013 Ω Miglioramento, 172 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS5208DN-T1-GE3

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1 nastro da 1

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Codice RS:: 653-148
Codice costruttore:: SISS5208DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id	172A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	SISS5208DN
	Tipo di package	PowerPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0013Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	56.8W
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	24.6nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	3.4mm
	Larghezza	3.4mm
	Altezza	830μm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id 172A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie SISS5208DN
	Tipo di package PowerPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0013Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 56.8W
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24.6nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 3.4mm
	Larghezza 3.4mm
	Altezza 830μm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SISS5208DN-T1-GE3

Paese di origine:: CN

MOSFET singoli serie SISS5208DN di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 172 A - SISS5208DN-T1-GE3

Questo singolo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in gruppi di potenza compatti. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per le applicazioni che richiedono una commutazione rapida e una notevole capacità di drenaggio continuo mantenendo un comportamento termico efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di drenaggio continua 172A consente una gestione ad alto carico • Il valore nominale drain-source 20 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione • L'Rds(on) di 0,0013 Ω riduce le perdite di conduzione • La carica del gate da 24,6 nC consente una dinamica di commutazione controllata • La dissipazione di potenza di 56,8 W gestisce lo stress termico sotto carico • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente l'uso in ambienti elevati

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento dei motori nelle apparecchiature di automazione • Ideale per convertitori CC-CC ad alta corrente negli alimentatori • Utilizzato per la commutazione del carico nei pannelli di controllo industriali • Può essere utilizzato per gli stadi di uscita a ponte H nella robotica • Utilizzato con array MOSFET ad alta potenza in moduli inverter

Quale intervallo di tensione del gate è necessario pianificare nella progettazione del driver gate?

Il dispositivo accetta tensioni gate-sorgente fino a 8 V, pertanto un driver gate che fornisce Vgs entro questo limite garantisce un funzionamento sicuro.

In che modo il contenitore influisce sul layout del circuito stampato e sui percorsi termici?

Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK concentra i collegamenti termici ed elettrici su un ingombro ridotto, pertanto si consiglia di utilizzare versamenti di rame e vie termiche per dissipare la perdita di potenza di 56,8 W del dispositivo.

Quali sono le condizioni ambientali consentite per un funzionamento affidabile?

Il componente è classificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in intervalli di temperatura industriali difficili.

Come si devono considerare le correnti di spunto o transitorie nella progettazione?

Con un basso Rds(on) di 0,0013Ω e un'elevata capacità di corrente continua, la sollecitazione transitoria deve essere valutata rispetto alle capacità di sovratensione e alla corrente nominale di tracciamento del circuito stampato per evitare sovratensioni.