MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 100 V, 0.16 Ω Miglioramento, 7.1 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIS9122DN-T1-GE3

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Codice RS:
653-097
Codice costruttore:
SIS9122DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

7.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIS9122

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.16Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

17.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.3 mm

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a doppio canale N Vishay per uso automobilistico è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK 1212-8 Dual, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni elettriche e termiche ottimizzate.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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