MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 100 V, 0.16 Ω Miglioramento, 7.1 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 653-098
- Codice costruttore:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 1 unità*
1,44 €
(IVA esclusa)
1,76 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,44 € |
| 25 - 99 | 1,39 € |
| 100 - 499 | 1,37 € |
| 500 - 999 | 1,15 € |
| 1000 + | 1,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 653-098
- Codice costruttore:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | SIS9122 | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.16Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 17.8W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie SIS9122 | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.16Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 17.8W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
Altezza 0.8mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET a doppio canale N Vishay per uso automobilistico è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK 1212-8 Dual, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni elettriche e termiche ottimizzate.
Senza Pb
Prodotto privo di alogeni
Conforme alla direttiva RoHS