MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 9 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIHA150N60E-GE3

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Codice RS:
268-8287
Codice costruttore:
SIHA150N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SIHA

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.158Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SIHA di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 9 A - SIHA150N60E-GE3


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione di potenza in applicazioni a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per i circuiti che richiedono una tensione significativa e una corrente continua moderata. Il dispositivo è fornito in un contenitore PowerPAK SO-8DC adatto per layout di schede compatti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 650 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 9 A supporta un'erogazione di potenza moderata
• La bassa Rds(on) di 0,158 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 179 W consente una gestione del carico elevata
• La carica gate tipica di 36 nC fornisce un controllo di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di ±30 V consente robusti margini di azionamento del gate

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta tensione
• Ideale per le fasi di commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per server e moduli di gestione dell'alimentazione per telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per i driver LED che richiedono interruttori ad alta tensione
• Adatto per gli stadi di potenza inverter e UPS

Quale stile di montaggio richiede per l'assemblaggio del circuito stampato?


Si tratta di un dispositivo a montaggio superficiale fornito in un contenitore PowerPAK SO-8DC, progettato per la saldatura a riflusso su modelli di terra PCB compatibili con le impronte SO-8DC.

Come si comporta in ambienti a temperatura estesa?


Il transistor è classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in sistemi esposti a condizioni ambientali basse e riscaldamento interno elevato.

Quali vincoli del gate-drive devono essere osservati?


La tensione da gate a sorgente non deve superare ±30 V, pertanto i driver gate devono essere limitati entro questi limiti per evitare lo stress da ossido gate.

Quale standard limita le sostanze pericolose in questo componente?


Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS, che indicano restrizioni su determinati materiali pericolosi durante la produzione.

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