MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.158 Ω Miglioramento, 9 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIHA150N60E-GE3

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Codice RS:
268-8287
Codice costruttore:
SIHA150N60E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK SO-8DC

Serie

SIHA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.158Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay serie E è caratterizzato da perdite di commutazione e conduzione ridotte ed è utilizzato in applicazioni quali alimentatori switching, alimentatori per server e alimentatori di correzione del fattore di potenza.

Bassa capacità effettiva

Energia nominale a valanga

Bassa cifra di merito

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