Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00068 mΩ Miglioramento, 421 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR500EP-T1-RE3

Codice RS:: 252-0248
Codice costruttore:: SIDR500EP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00068 mΩ Miglioramento, 421 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8DC, Superficie SIDR500EP-T1-RE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 252-0248
Codice costruttore:: SIDR500EP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	421A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8DC
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.00068mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	150W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	46.1nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	6.15mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.15mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 421A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package PowerPAK SO-8DC
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00068mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 150W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46.1nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 6.15mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.15mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. I MOSFET a canale N contengono ulteriori elettroni liberi di muoversi. Si tratta di un tipo di canale più popolare. I MOSFET a canale N funzionano quando una carica positiva viene applicata al terminale di gate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V

Figura di merito (FOM) RDS x Qg molto bassa

Maggiore densità di potenza con RDS(on) molto bassa

Package compatto potenziato termicamente

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