MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00047 Ω Miglioramento, 421 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiDR500EP
- Codice RS:
- 735-149
- Codice costruttore:
- SiDR500EP
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
4,91 €
(IVA esclusa)
5,99 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,91 € |
| 10 - 49 | 3,04 € |
| 50 - 99 | 2,36 € |
| 100 + | 1,74 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 735-149
- Codice costruttore:
- SiDR500EP
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 421A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | SiD | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00047Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 30V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 120nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 7mm | |
| Altezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 421A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie SiD | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00047Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 30V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 120nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 7mm | ||
Altezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente
Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C
Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida
Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.00068 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.00068 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SIDR500EP-T1-RE3
- MOSFET Vishay 0.00047 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.00047 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0036 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0036 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.00088 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0045 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale