MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00047 Ω Miglioramento, 421 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

3,97 €

(IVA esclusa)

4,84 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 93,97 €
10 - 492,46 €
50 - 991,91 €
100 +1,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
735-149
Codice costruttore:
SiDR500EP
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

421A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiD

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00047Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

30V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

7mm

Larghezza

6mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

Link consigliati