MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.0017 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR626DP
- Codice RS:
- 735-140
- Codice costruttore:
- SiR626DP
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
2,66 €
(IVA esclusa)
3,25 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,66 € |
| 10 - 24 | 1,74 € |
| 25 - 99 | 1,03 € |
| 100 - 499 | 1,02 € |
| 500 + | 1,01 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 735-140
- Codice costruttore:
- SiR626DP
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0017Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 68nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Tensione diretta Vf | 60V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 2mm | |
| Lunghezza | 7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0017Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 68nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Tensione diretta Vf 60V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 2mm | ||
Lunghezza 7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente
Carica totale tipica del gate di 52 nC per una commutazione rapida
RDS(on) bassa x Qg valore di merito
Massima resistenza termica della giunzione all'ambiente di 15 °C/W
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.0017 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0017 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.00174 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0015 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.00115 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET di potenza Vishay 0.00625 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.01 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.005 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale