MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.00174 Ω Miglioramento, 227 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiDR626EP

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Codice RS:
735-139
Codice costruttore:
SiDR626EP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

227A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiD

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00174Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

60V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6mm

Lunghezza

7mm

Altezza

2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la rettifica sincrona ad alta efficienza nelle soluzioni di server di potenza AI. Offre una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V per ridurre al minimo le perdite di conduzione nelle applicazioni di convertitore CC/CC ad alta corrente.

Corrente nominale di 50,8 A a TA=25 °C e 227 A a TC=25 °C

Sintonizzato per il valore di merito RDS(on) x Qoss più basso

Testato al 100% Rg e UIS per l'affidabilità

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