MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0029 Ω Miglioramento, 153 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiDR5802EP

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Codice RS:
735-134
Codice costruttore:
SIDR5802EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

153A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0029Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37.3nC

Tensione diretta Vf

80V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2mm

Lunghezza

7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay ha una tensione nominale di drenaggio-sorgente di 80 V per una conversione di potenza ad alta efficienza in applicazioni di server e data center AI. È dotato di una resistenza di accensione ultrabassa di 2,9 mΩ massimo a 10 V per ridurre le perdite di conduzione nelle topologie buck sincrone.

Corrente di drenaggio continua 153 A a TC=25 °C.

Carica totale gate tipica 28 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura esteso da -55 °C a +175 °C

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