MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0045 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR512DP-T1-RE3

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Codice RS:
735-131
Codice costruttore:
SIR512DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0045Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

100V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

96.2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

2mm

Lunghezza

7mm

Larghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET Gen V a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione nelle soluzioni server AI e nelle applicazioni ad alta corrente. Offre una capacità di tensione drain-source di 100 V con una bassa resistenza in stato attivo di 4,5 mΩ a 10 V di gate drive per una perdita di potenza minima.

Corrente di drenaggio continua 00 A a TC=25 °C.

Dissipazione di potenza nominale 96,2 W

Intervallo di temperatura di esercizio da -55 °C a +150 °C

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