MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0045 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR512DP
- Codice RS:
- 735-131
- Codice costruttore:
- SiR512DP
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
2,92 €
(IVA esclusa)
3,56 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,92 € |
| 10 - 24 | 1,90 € |
| 25 - 99 | 1,04 € |
| 100 - 499 | 1,03 € |
| 500 + | 1,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 735-131
- Codice costruttore:
- SiR512DP
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | SiR | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0045Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 100V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96.2W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 41nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6mm | |
| Lunghezza | 7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie SiR | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0045Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 100V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96.2W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6mm | ||
Lunghezza 7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET Gen V a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione nelle soluzioni server AI e nelle applicazioni ad alta corrente. Offre una capacità di tensione drain-source di 100 V con una bassa resistenza in stato attivo di 4,5 mΩ a 10 V di gate drive per una perdita di potenza minima.
Corrente di drenaggio continua 00 A a TC=25 °C.
Dissipazione di potenza nominale 96,2 W
Intervallo di temperatura di esercizio da -55 °C a +150 °C
Link consigliati
- MOSFET Vishay 0.01 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.01 Ω Depletion 8 Pin Superficie SIR512DP-T1-RE3
- MOSFET Vishay 0.0041 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0045 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0036 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0036 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.0017 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET Vishay 0.00088 Ω Miglioramento 8 Pin Montaggio superficiale