MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0036 Ω Miglioramento, 148 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-163
Codice costruttore:
SiDR510EP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

148A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiD

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0036Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

100V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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