MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.00088 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR638ADP

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Codice RS:
735-146
Codice costruttore:
SiR638ADP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00088Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione diretta Vf

40V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6mm

Lunghezza

7mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 40 V, ottimizzato per convertitori CC/CC ad alta densità di potenza in applicazioni server AI. Offre una resistenza di accensione ultrabassa di 0,88 mΩ massimo a 10 V per un'efficienza di conduzione superiore nei circuiti di raddrizzamento sincroni.

Conduttanza di trasmissione in avanti 147S

Carica totale del gate di 110 nC a 10 V VGS

Rapporto Qgd/Qgs inferiore a 1 per una commutazione ottimizzata

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