MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.00088 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR638ADP-T1-UE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

4914,00 €

(IVA esclusa)

5994,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,638 €4.914,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
279-9957
Codice costruttore:
SIR638ADP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00088Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

165nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati