MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.00088 Ω Miglioramento, 291 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiDR402EP

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Codice RS:
735-145
Codice costruttore:
SiDR402EP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

291A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SiD

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00088Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

40V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

7mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 40 V ed è progettato per la rettifica sincrona ad alta efficienza nei convertitori DC/DC dei server di potenza AI. Fornisce una resistenza di accensione ultrabassa di circa 0,88 mΩ a 10 V per ridurre al minimo le perdite di conduzione nelle fasi di potenza ad alta corrente.

Corrente di drenaggio continua 65 A a TA=25 °C.

RDS(on) bassa x Qg per una commutazione ottimale

Qualificazione della classificazione dei materiali per garantire l'affidabilità

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