Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.00088 Ω Miglioramento, 291 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiDR402EP

Codice RS:: 735-145
Codice costruttore:: SiDR402EP
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.00088 Ω Miglioramento, 291 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiDR402EP

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Codice RS:: 735-145
Codice costruttore:: SiDR402EP
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Canale N
	Massima corrente di scarico continua Id	291A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Serie	SiD
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.00088Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	110nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	150W
	Tensione diretta Vf	40V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	10V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	7mm
	Altezza	2mm
	Larghezza	6mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 291A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Serie SiD
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00088Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 150W
	Tensione diretta Vf 40V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 7mm
	Altezza 2mm
	Larghezza 6mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiDR402EP

Paese di origine:: DE

Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 40 V ed è progettato per la rettifica sincrona ad alta efficienza nei convertitori DC/DC dei server di potenza AI. Fornisce una resistenza di accensione ultrabassa di circa 0,88 mΩ a 10 V per ridurre al minimo le perdite di conduzione nelle fasi di potenza ad alta corrente.

Corrente di drenaggio continua 65 A a TA=25 °C.

RDS(on) bassa x Qg per una commutazione ottimale

Qualificazione della classificazione dei materiali per garantire l'affidabilità

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