MOSFET Vishay, canale N 40 V, 0.00088 Ω Miglioramento, 291 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIDR402EP-T1-RE3

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Codice RS:
735-145
Codice costruttore:
SIDR402EP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

291A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00088Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Tensione diretta Vf

40V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6mm

Lunghezza

7mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 40 V ed è progettato per la rettifica sincrona ad alta efficienza nei convertitori DC/DC dei server di potenza AI. Fornisce una resistenza di accensione ultrabassa di circa 0,88 mΩ a 10 V per ridurre al minimo le perdite di conduzione nelle fasi di potenza ad alta corrente.

Corrente di drenaggio continua 65 A a TA=25 °C.

RDS(on) bassa x Qg per una commutazione ottimale

Qualificazione della classificazione dei materiali per garantire l'affidabilità

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