MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.00047 Ω Miglioramento, 350.8 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR500DP-T1-RE3

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Codice RS:
735-151
Codice costruttore:
SIR500DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

350.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00047Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

104.1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6mm

Lunghezza

7mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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