MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00047 Ω Miglioramento, 350.8 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR500DP

Immagine rappresentativa della gamma

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

2,66 €

(IVA esclusa)

3,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
1 +2,66 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
735-151
Codice costruttore:
SiR500DP
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

350.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00047Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Tensione diretta Vf

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.