MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.00047 Ω Miglioramento, 795 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-142
Codice costruttore:
SiJK140E
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

795A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SiK

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00047Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

40V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

312nC

Dissipazione di potenza massima Pd

536W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

12mm

Altezza

4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

RthJC basso di 0,21 °C/W per prestazioni termiche ottimali

Carica totale gate tipica 312 nC

FET di livello standard con VGS minimo di 2,4 V

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