MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.0069 Ω Miglioramento, 64 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISD5806DN-T1-UE3

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Codice RS:
735-136
Codice costruttore:
SISD5806DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiS

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0069Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione diretta Vf

80V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

4mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 80 V ed è progettato appositamente per il funzionamento a bassa perdita nelle soluzioni di server di potenza AI e nei convertitori CC/CC ad alta efficienza.

Corrente di drenaggio continua di 64 A a TC=25 °C

Dissipazione di potenza massima di 57 W

Carica totale massima del gate di 33 nC

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