MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.0034 Ω Miglioramento, 91 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSD4604LDN

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Codice RS:
735-141
Codice costruttore:
SiSD4604LDN
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

91A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0034Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

60V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

4mm

Altezza

1mm

Larghezza

4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Dissipazione di potenza 57 W

Corrente di drenaggio continua 28 A

Bassa carica totale massima del gate di 15 nC

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