2 MOSFET Vishay Siliconix Duale, canale N, 60 mΩ, 6 A 60 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3851
Codice costruttore:
SQS966ENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

27.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

820mV

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

3.15mm

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET®

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