MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 22 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SQSA12CENW-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2970
Codice costruttore:
SQSA12CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza da 100 V per uso automobilistico canale N TrenchFET Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

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