MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 22 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1008,00 €

(IVA esclusa)

1230,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 3000 unità in spedizione dal 13 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,336 €1.008,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
228-2969
Codice costruttore:
SQSA12CENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

62.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza da 100 V per uso automobilistico canale N TrenchFET Vishay.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati