MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 68.5 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPak 1212-8W, Montaggio su circuito stampato

Codice RS:: 228-2971
Codice costruttore:: SQSA70CENW-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 68.5 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, PowerPak 1212-8W, Montaggio su circuito stampato

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 228-2971
Codice costruttore:: SQSA70CENW-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Tipo di package	PowerPak 1212-8W
	Serie	SQSA70CENW
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	68.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	62.5W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.85V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	3.3mm
	Lunghezza	3.3mm
	Larghezza	3.3mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Tipo di package PowerPak 1212-8W
	Serie SQSA70CENW
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 68.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.85V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 3.3mm
	Lunghezza 3.3mm
	Larghezza 3.3mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SQSA70CENW-T1_GE3

MOSFET serie SQSA70CENW di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 150 V, corrente di drenaggio continua massima di 18 A - SQSA70CENW-T1_GE3

Questo MOSFET è un dispositivo di alimentazione ad alta tensione a canale N progettato per il montaggio su circuito stampato in ambienti di controllo automobilistici e industriali impegnativi. Supporta ruoli di commutazione e controllo del carico in cui sono richieste elevate capacità di tensione drain-source e carica di gate modesta, ed è costruito per soddisfare le aspettative di sollecitazione automobilistica e le esigenze di assemblaggio a montaggio superficiale.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 150 V consente una capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 18 A supporta una gestione del carico sostanziale • L'Rds(on) di 68,5 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento • La carica tipica del gate 8 nC riduce l'energia di commutazione e i requisiti di azionamento • La dissipazione di potenza di 62,5 W consente un carico termico significativo • La temperatura d'esercizio massima di 175 °C consente un uso ambientale elevato

Applicazioni

• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica che richiedono la qualifica AEC‐Q101 • Ideale per i convertitori CC-CC nei sistemi di automazione industriale • Utilizzato per la commutazione del controllo del motore in gruppi elettronici compatti • Può essere utilizzato per la gestione della batteria e i circuiti di controllo del percorso di alimentazione

Quale metodo di montaggio è necessario per l'integrazione?

È fornito per il montaggio su circuito stampato come contenitore PowerPAK 1212-8W a montaggio superficiale per facilitare i layout compatti della scheda e il posizionamento automatizzato.

Quali sono i limiti di tensione gate da osservare durante la progettazione dell'azionamento?

Il dispositivo non deve essere esposto a tensioni gate-sorgente superiori a 20 V per evitare sovratensioni del dielettrico gate.

In che modo la capacità termica influisce sui requisiti di raffreddamento?

Con una dissipazione di potenza massima di 62,5 W e un soffitto di funzionamento elevato a 175 °C, le strategie di scheda e dissipatore di calore devono essere dimensionate per mantenere le temperature di giunzione entro margini sicuri per un funzionamento continuo.

Quale intervallo di temperatura ambiente può tollerare?

Funziona in un'ampia gamma da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso in scenari di avviamento a freddo e ad alto calore.

Quali caratteristiche contribuiscono a ridurre le perdite di commutazione?

La combinazione di una carica di gate 8 nC e una bassa resistenza in stato attivo contribuisce a ridurre le perdite di commutazione e conduzione in applicazioni ad alta frequenza.