MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.02 Ω Miglioramento, 12 A, 8 Pin, PowerPak 1212-8W, Superficie SQS840CENW-T1_BE3

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Codice RS:
735-127
Codice costruttore:
SQS840CENW-T1_BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPak 1212-8W

Serie

SQS840CENW

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza di Vishay offre una funzionalità di commutazione efficiente e ad alte prestazioni, adatta per le applicazioni automobilistiche, garantendo un funzionamento affidabile in condizioni difficili.

La tecnologia TrenchFET garantisce eccellenti prestazioni termiche

Certificazione AEC-Q101 per rigorosi standard automobilistici

La bassa resistenza all'accensione supporta un'elevata efficienza di corrente

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