MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSD5300DN

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Codice RS:
735-152
Codice costruttore:
SiSD5300DN
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

198A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiS

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00087Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

30V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4mm

Altezza

1mm

Lunghezza

4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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