Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSD5300DN

Codice RS:: 735-152
Codice costruttore:: SiSD5300DN
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSD5300DN

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Codice RS:: 735-152
Codice costruttore:: SiSD5300DN
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Canale N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	198A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	PowerPAK 1212
	Serie	SiS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.00087Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	30V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	16V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	59nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	57W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1mm
	Lunghezza	4mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	4mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 198A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package PowerPAK 1212
	Serie SiS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00087Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 30V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 59nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 57W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1mm
	Lunghezza 4mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 4mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiSD5300DN

Paese di origine:: IL

Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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