MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00087 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, 1212-F, Superficie SISD5300DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2118,00 €

(IVA esclusa)

2583,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,706 €2.118,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
279-9978
Codice costruttore:
SISD5300DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

198A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

1212-F

Serie

SISD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00087Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati