MOSFET Vishay, canale Tipo P 40 V, 0.0022 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4401DP-T1-GE3
- Codice RS:
- 279-9966
- Codice costruttore:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
5511,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,837 € | 5.511,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 279-9966
- Codice costruttore:
- SIRS4401DP-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 198A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | SIRS | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0022Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 588nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 132W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 198A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie SIRS | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0022Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 588nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 132W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza di nuova generazione
Testato al 100% Rg e UIS
Prodotto FOM ultrabasso RDS x Qg
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)