MOSFET Vishay, canale Tipo P 40 V, 0.0022 Ω Miglioramento, 198 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS4401DP-T1-GE3

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Codice RS:
279-9966
Codice costruttore:
SIRS4401DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

198A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SIRS

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0022Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

588nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza di nuova generazione

Testato al 100% Rg e UIS

Prodotto FOM ultrabasso RDS x Qg

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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