MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.0022 Ω Miglioramento, 128 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS4402DN-T1-GE3

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Codice RS:
279-9985
Codice costruttore:
SISS4402DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

128A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

1212-8S

Serie

SISS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0022Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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